砷化镓(GaAs)相关论文
基于0.15μm的砷化镓(GaAs)pHEMT工艺设计了一款毫米波低噪声放大器MMIC芯片.该款低噪声放大器采用三级级联的拓扑结构.测试结果显......
为了保证有关国内一流大型仪器设备的实验教学质量,同时还能节省高校的实验耗费,在LabVIEW 8.2开发环境下,通过对反射式高能电子衍......
成立于1985年的ANADIGICS公司在高性能射频集成电路(RFIC)设计领域拥有自己的"独门绝技",这就是可提供基于砷化镓(GaAs)工艺技术的......
为了保证有关国内一流大型仪器设备的实验教学质量，同时还能节省高校的实验耗费，在LabVIEW8．2开发环境下，通过对反射式高能电子衍射仪（R......
本文在LabVIEW8．2开发环境下，通过对反射式高能电子衍射仪（RHEED）原理及样品砷化镓GaAs（001）_a（2×4）结构模型的表面原子结构进行深入......
为满足电子系统对放大器的带宽性能要求，基于2μm砷化镓（GaAs）异质结双极晶体管（HBT）工艺设计了一种新的分布式放大器。设计采用了输入......
基于集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)结构设计了一款7阶的椭圆低通滤波器,使用电子设计自动化软件(Advanced Design ......
采用0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺设计并实现了一款单片宽带混频器。该混频器采用双平衡混频器结构,以串联的两个......
设计采用了集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)工艺设计了一款集总式紧凑型椭圆函数高通滤波器。设计采用砷化镓GaAs作......
本文设计了一款GaAs PHEMT微波单片集成电调衰减器,该电路设计采用T型衰减器的拓扑结构,对电调衰减器的线性度进行了专门设计。针......
